[发明专利]非挥发存储器的制备方法有效
| 申请号： | 200810223345.8 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399209A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 朱晨昕;贾锐;李维龙;陈晨;李昊峰;王琴;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：A.在半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B.在沟道层上依次生长隧穿氧化层、纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C.进行形成台面的工序；D.进行形成栅区以及分别形成源电极、漏电极和栅电极的工序。通过采取快速热退火的方式得到纳米晶层，并采用与耗尽型MOS器件制作工艺相兼容的流程最终可完成三端耗尽型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制作。该方法简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：A、在半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B、在沟道层上依次生长隧穿氧化层、纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C、进行形成台面的工序；D、进行形成栅区以及分别形成源电极、漏电极和栅电极的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810223345.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种掺镓单晶硅太阳电池及其制造方法
- 下一篇：一种隔离开关
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
