[发明专利]TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法有效
| 申请号： | 200810223349.6 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101397499A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法。该TaN材料腐蚀溶液，以重量百分比计包括：NH4OH：1.47％-7.26％；H2O2：3.00％-24.91％；以及余量的水。所述的TaN材料腐蚀方法，是对于厚度小于400埃的TaN可采用光刻胶作为掩膜，先以重量百分含量为3.25％-10.44％的HF、7.17％-21.95％的HNO3以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀，再以重量百分含量为1.47％-7.26％的NH4OH，3.00％-24.91％的H2O2以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀；对于厚度大于400埃的TaN，必须采用硬掩膜，直接以重量百分含量为1.47％-7.26％的NH4OH，3.00％-24.91％的H2O2以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | tan 材料 腐蚀 溶液 以及 方法 | ||
【主权项】：
1、一种TaN材料腐蚀溶液，其特征在于以重量百分比计包括：NH4OH：1.47％-7.26％；H2O2：3.00％-24.91％；以及余量的水。
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