[发明专利]自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法，以一维半导体纳米材料作为导电通道，其两端分别是源、漏电极；用原子层沉积方式生长栅介质层，覆盖在源、漏电极之间，以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上；在栅介质层上再通过蒸发或溅射方法生长栅电极层，栅介质层和栅电极层的厚度之和小于源、漏电极的厚度，源漏电极之间导电通道上的栅电极通过栅介质侧墙与源、漏电极实现电学隔离。本发明的自对准结构制作工艺简单、稳定，自由度高，源漏之间的导电通道基本被栅电极覆盖，大大提高了栅对导电通道的控制能力，而且，对于栅介质层和栅电极层的材料无限制，从而可以自由调节器件的阈值电压，满足规模集成电路设计的需要。

主权项

1. 一种自对准栅结构纳米场效应晶体管，其导电通道是一维半导体纳米材料；导电通道两端分别是源、漏电极；栅介质层为原子层沉积方式生长的氧化物层，覆盖在源、漏电极之间，以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上；而栅电极层是在栅介质层上通过电子束蒸发或者热蒸发或者磁控溅射的方法生长的一层导电薄膜，栅介质层和栅电极层的厚度之和小于源、漏电极的厚度，位于源漏电极之间导电通道上的栅电极通过氧化物侧墙与源、漏电极实现电学隔离。