[发明专利]正多边形微腔双稳半导体激光器无效
| 申请号： | 200810224106.4 | 申请日： | 2008-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101728760A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 黄永箴;杨跃德;王世江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正多边形微腔双稳半导体激光器，该半导体激光器由平板波导经刻蚀制成，包括一正多边形的谐振腔和一输出波导，且该输出波导与该正多边形的谐振腔连接或耦合。利用本发明，由于正多边形微腔中不同对称性模式的品质因子和耦合效率随波导的变化有着不同的关系，通过控制输出波导的宽度使不同对称性模式具有相同的阈值增益和不同的耦合效率，所以能够实现正多边形微腔激光器的输出双稳特性。 | ||
| 搜索关键词： | 正多边形 微腔双稳 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种正多边形微腔双稳半导体激光器，其特征在于，该半导体激光器由平板波导经刻蚀制成，包括一正多边形的谐振腔和一输出波导，且该输出波导与该正多边形的谐振腔连接或耦合。
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