[发明专利]依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法无效
| 申请号： | 200810224109.8 | 申请日： | 2008-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101723312A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨香;韩伟华;王颖;张杨;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)以绝缘体上硅作为衬底；(b)在衬底上沿<110>晶向方向进行划片，作为曝光时的参考方向；(c)将衬底进行热氧化，生成二氧化硅掩膜层；(d)采用电子束曝光，生成平面图形；(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀；(f)再采用各向异性湿法腐蚀，在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 依赖 三维 限制 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)以绝缘体上硅作为衬底；(b)在衬底上沿<110>晶向方向进行划片，作为曝光时的参考方向；(c)将衬底进行热氧化，生成二氧化硅掩膜层；(d)采用电子束曝光，生成平面图形；(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀；(f)再采用各向异性湿法腐蚀，在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构。
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