[发明专利]半导体基片加工方法无效
| 申请号： | 200810224342.6 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101728230A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 周洋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体基片加工方法，在刻蚀工艺前，当基片经过传输路径被放入工艺腔室后，通入Ar气、He气或N2气等非工艺气体对基片表面进行吹扫，以去除由于在传输过程中掉落在基片表面的颗粒；并当刻蚀工艺完成后，基片传出工艺腔室之前，通入Ar气、He气或N2气等非工艺气体对基片表面进行吹扫，以去除由于刻蚀过程中副产物在基片表面的附着物，可以有效的降低由于基片在传输过程中或刻蚀副产物掉落在基片表面的颗粒对基片加工良率的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基片加工方法，包括刻蚀基片步骤，其特征在于，所述刻蚀基片步骤之前和之后分别或单独设有吹扫基片步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
