[发明专利]改进L型降压变换器的拓扑结构有效
| 申请号： | 200810224476.8 | 申请日： | 2008-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101488708A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 郑琼林;贺明智;郝瑞祥;杨中平;孙湖;张立伟;游小杰;林飞;黄先进;王琛琛 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了改进L型降压变换器的拓扑结构，通过k个开关器件，二极管SD11、SD21……SDk1串联构成L型变换器的横轴；通过k个电容C1、C2……Ck串联构成L型变换器的纵轴；横轴上开关SDi1、SD(i-1)1间的节点与纵轴上电容C(i-1)、Ci间的节点有从纵轴流向横轴的单向开关，其中i＝2……k；开关SDk1的阴极通过电感LA与负载RL一端相连，负载的另外一端与可控开关S(k-1)2的一端相连；可控开关S(k-1)2的另一端与二极管SD(k-1)2及可控开关S(k-2)2的交点相连；二极管SDk2的阴极与二极管SDk1、SD(k-1)1间的节点相连；可控开关S12、S22……S(k-2)2的顺序串联结构与可控开关S(k-1)2相连；可控开关Si2、S(i+1)2的节点与二极管SDi1、SD(i+1)1间的节点之间有二极管SD(i+1)2，其阳极接可控开关Si2、S(i+1)2间的节点；i为大于或等于1的正整数；通过扩展L型结构的横、纵轴及单向可控开关支路，扩展变换器的级数。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 降压 变换器 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种改进L型降压变换器的拓扑结构，其特征在于：通过k个开关器件，二极管SD11、SD21……SDk1串联构成L型变换器的横轴；通过k个电容C1、C2……Ck串联构成L型变换器的纵轴；横轴上二极管SDi1、SD(i-1)1间的节点与纵轴上电容C(i-1)、Ci间的节点有从纵轴流向横轴的单向开关，其中i＝2……k；二极管SDk1的阴极通过电感LA与负载RL一端相连，负载的另外一端与可控开关S(k-1)2的一端相连；可控开关S(k-1)2的另一端与二极管SD(k-1)2及可控开关S(k-2)2的交点相连；二极管SDk2的阴极与二极管SDk1、SD(k-1)1间的节点相连；可控开关S12、S22……S(k-2)2的顺序串联结构与可控开关S(k-1)2相连；可控开关Si2、S(i+1)2的节点与二极管SDi1、SD(i+1)1间的节点之间有二极管SD(i+1)2，其阳极接可控开关Si2、S(i+1)2间的节点；上述描述中，k为大于或等于1的正整数；通过扩展L型结构的横、纵轴以及单向可控开关支路，将扩展变换器的级数。
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