[发明专利]一种半导体器件栅极的制作方法及调整方法无效
| 申请号： | 200810224594.9 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101728253A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;杜珊珊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件栅极的制作方法，在衬底上生成栅氧化层之后，在所述栅氧化层上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上沉积具有应力的氮化硅层，使所述多晶硅层具有相应的应力；去除所述氮化硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成栅极，且所述栅极的形状由所述多晶硅层具有的应力确定，当所述应力为拉应力时，形成的栅极底部具有缺角；当所述应力为压应力时，形成的栅极形状为侧壁垂直或底部具有足部。本发明还公开了一种半导体器件栅极的调整方法。应用本发明可以灵活准确地形成具有垂直侧壁、底部为足部或者缺角的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 栅极 制作方法 调整 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件栅极的制作方法，在衬底上生成栅氧化层之后，其特征在于，该方法还包括以下步骤：在所述栅氧化层上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上沉积具有应力的氮化硅层，使所述多晶硅层具有相应的应力；去除所述氮化硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成栅极，且所述栅极的形状由所述多晶硅层具有的应力确定，当所述应力为拉应力时，形成的栅极底部具有缺角；当所述应力为压应力时，形成的栅极形状为侧壁垂直或底部具有足部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
