[发明专利]一种沟槽型DMOS管及其制备方法无效
| 申请号： | 200810224888.1 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728270A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王新强;方绍明;赵亚民;刘鹏飞;陈勇;陈洪宁;张立荣 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/205;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型DMOS管及其制备方法，涉及集成电路制备，尤其涉及沟槽型DMOS管及其制备方法，为了解决现有技术无法同时实现DMOS管耐高压和低导通电阻的问题。沟槽型DMOS管的制备方法包括：在衬底上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；在所述第一外延层上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。沟槽型DMOS管包括：在衬底上有与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；在所述第一外延层上有与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。本发明适用于集成电路工艺中的DMOS管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 dmos 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型DMOS管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；在所述第一外延层上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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