[发明专利]一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法无效
| 申请号： | 200810224906.6 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728272A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;黎明;付晓君;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，包括：选择衬底，在衬底的正面沉积栅氧介质；在衬底的背面蒸发金属，形成背栅电极；在衬底正面沉积的栅氧介质上制作定位标记；将氧化锌纳米线转移和淀积至已完成定位标记制作的衬底的正面；定位氧化锌纳米线；制作源漏电极，形成背栅氧化锌纳米线场效应晶体管。本发明利用ZnO纳米线材料，经过上述工艺流程，实现了背栅ZnO纳米线场效应晶体管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 氧化锌 纳米 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：选择衬底，在衬底的正面沉积栅氧介质；在衬底的背面蒸发金属，形成背栅电极；在衬底正面沉积的栅氧介质上制作定位标记；将氧化锌纳米线转移和淀积至已完成定位标记制作的衬底的正面；定位氧化锌纳米线；制作源漏电极，形成背栅氧化锌纳米线场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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