[发明专利]硅太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 200810225491.4 | 申请日： | 2008-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101764176A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 荣延栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅太阳能电池的制造方法，在表面成膜步骤之后增加H等离子体处理步骤，在H2气体放电等离子体气氛中进行H化处理，H等离子体中含有大量的H离子，这些H离子可以和表面的各种悬挂键结合，饱和悬挂键等缺陷；另外高温可以减小硅中的空洞、颗粒等缺陷，自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等会使系统的自由能降低，转变为热力学中更稳定的状态。能有效的减小电池的表面复合，提高太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅太阳能电池的制造方法，包括表面成膜步骤，其特征在于，所述的表面成膜步骤之后包括H等离子体处理步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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