[发明专利]利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法有效
| 申请号： | 200810225953.2 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101740331A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张国义;孙永健;康香宁;陈志忠;杨志坚;杨欣荣 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 523500 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法，是以固体激光器为激光光源，使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的小光斑进行逐点逐行激光扫描，其中小光斑内部的能量分布情况是：光斑中心能量最强，向四周能量逐渐变弱。本发明实现了小光斑无损激光剥离，改进了激光剥离扫描方式，从而实现了无需对版的盲打剥离方法，简化了激光剥离工艺过程，提高了效率，降低了废品率，为激光剥离工艺产业化扫清了障碍。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 固体激光器 无损 剥离 gan 蓝宝石 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种激光剥离GaN和蓝宝石衬底的方法，其特征在于，以固体激光器为激光光源，使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的小光斑进行逐点逐行激光扫描，其中小光斑内部的能量分布情况是：光斑中心能量最强，向四周能量逐渐变弱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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