[发明专利]金属键合硅基激光器的制备方法无效
| 申请号： | 200810226036.6 | 申请日： | 2008-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101741007A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 秦国刚;洪涛;陈挺;冉广照;陈娓兮 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属键 合硅基 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属键合硅基激光器的制备方法，其步骤包括：1)在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；2)在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；3)利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；4)将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。
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