[发明专利]半导体加工铜互连的方法无效
| 申请号： | 200810226477.6 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101740480A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 杨柏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体加工铜互连的方法，首先在基板上形成通孔和沟槽，并对通孔和沟槽进行去气处理；然后，沉积铜阻挡层和铜籽晶层；在沉积铜阻挡层之后，且在沉积铜籽晶层之前和/或之后进行离子溅射步骤。通过离子溅射步骤，可以实现预清洗，工艺简单、成本低；可以改善阻挡层/籽晶层薄膜沉积孔隙填充性能、降低对阻挡层/籽晶层薄膜沉积要求，使产品的成品率提高。可以应用于45nm以下技术节点的铜双大马士革互连工艺，实现向32nm以下技术节点扩展，并避免向更小技术节点扩展时芯片制造设备升级的成本支出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 互连 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体加工铜互连的方法，包括在基板上形成通孔和沟槽，其特征在于，包括：在所述形成通孔和沟槽的基板上沉积铜阻挡层和铜籽晶层；所述沉积铜阻挡层之后还进行离子溅射步骤，所述离子为惰性气体离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
