[发明专利]一种自催化法制备高产量四针状纳米氧化锌的方法

摘要

本发明属于纳米材料制备技术领域，特别是提供了一种自催化法制备高产量T-ZnO纳米材料的方法，实现了低的制备温度下大范围的可控生长。其特征是通过如下三个步骤实现：1)将n型硅基片用丙酮和乙醇在超声清洗器内清洗干净，作为沉积基片；2)将纯度＞99.9％Zn粉和纯度＞90％ZAc粉按原子比10∶1混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；硅片距离反应物的距离保持在5-8mm之间；3)管式炉事先升温至650℃，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部；先向管内通入15分钟氩气，流量为80cm³/min；再通氧气15分钟，流量为40cm³/min，取出硅基片；冷却至室温后所得产品即四针状氧化锌，材料表面光滑，结晶性较高。本发明通过反应物自身的自催化作用，有效的降低反应温度，并且避免产物中金属的污染，实现大面积可控的制备，并大范围的提高产率。

主权项

1. 一种自催化法制备高产量四针状纳米氧化锌的方法，其特征是通过如下三个步骤实现：1)、将n型硅基片用丙酮和乙醇在超声清洗器内清洗干净，作为沉积基片；2)、将纯度>99.9％Zn粉和纯度>90％ZAc粉按原子比10∶1混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；硅片距离反应物的距离保持在5-8mm之间；3)、管式炉事先升温至650℃，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部；调节流量计并先向管内通入氩气流量为80cm3/min，保持15分钟；然后停止通氩气，改通氧气，保持氧气的流量在40cm3/min，15分钟后，停止气体，取出硅基片；冷却至室温后利用扫描电镜、配备有能谱的透射电镜对沉积在硅基片的样品进行分析，证实所得产品四针状氧化锌。