[发明专利]薄膜去除方法有效
| 申请号： | 200810227171.2 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101740338A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 何伟业;苏娜;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立闽;李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜去除方法，包括步骤：提供表面具有薄膜的衬底；将所述衬底传送至处理室内；利用低功率的射频电源在所述处理室外对反应气体进行等离子体激活；将所述等离子体激活后的反应气体通入所述处理室内；利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜，利用退火处理去除所述刻蚀处理过程中的生成物。本发明还相应地公开了利用该方法形成局域金属硅化物，及利用该方法形成接触孔开口的具体实施步骤。采用本发明的薄膜去除方法，既可以避免传统干法刻蚀方法对下层结构的损伤，又可以避免各向同性的湿法腐蚀方法对侧壁结构的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜去除方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有薄膜的衬底；将所述衬底传送至处理室内；利用低功率的射频电源在所述处理室外对反应气体进行等离子体激活；将所述等离子体激活后的反应气体通入所述处理室内；利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜，利用退火处理去除所述刻蚀处理过程中的生成物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
