[发明专利]等离子体气相沉积方法有效
| 申请号： | 200810227177.X | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101736307A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;康芸;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种等离子体气相沉积方法，包括：确定沉积层的厚度，所述沉积层包含至少两层沉积分层，各所述沉积分层的厚度之和等于所述沉积层的厚度；提供基底、缓冲区和至少一个反应腔室，所述基底经由所述缓冲区进入任一所述反应腔室，以在所述基底上形成各所述沉积分层，各所述反应腔室内承载所述基底的承载台分别具有标准温度；形成每一所述沉积分层后，所述基底置于所述缓冲区内，所述缓冲区内的温度低于所述标准温度。可在控制温度恒定以提高所述金属层接触电阻的均匀性的前提下，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体气相沉积方法，其特征在于，包括：确定沉积层的厚度，所述沉积层包含至少两层沉积分层，各所述沉积分层的厚度之和等于所述沉积层的厚度；提供基底、缓冲区和至少一个反应腔室，所述基底经由所述缓冲区进入任一所述反应腔室，以在所述基底上形成各所述沉积分层，各所述反应腔室内承载所述基底的承载台分别具有标准温度；形成每一所述沉积分层后，所述基底置于所述缓冲区内，所述缓冲区内的温度低于所述标准温度。
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