[发明专利]苯并咔唑插层水滑石复合发光材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810227218.5 申请日: 2008-11-25
公开(公告)号: CN101440281A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 陆军;闫东鹏;卫敏;段雪 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C09K11/06 分类号: C09K11/06
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 代理人: 朱 琨
地址: 100029北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于无机有机复合发光材料领域的一种2-羟基苯并咔唑-3-羧酸根阴离子插层水滑石复合发光材料及其制备方法。其具体操作步骤为:配制二价、三价金属阳离子溶液A和2-羟基苯并咔唑-3-羧酸钠的乙二醇溶液B;将A,B溶液混合得到溶液C;将配制的NaOH溶液缓慢滴加到溶液C中;滴加完成后用NaOH调节pH值,得到浆液D;将浆液D在水浴或微波控温加热条件下反应;将得到的产物离心洗涤后真空干燥,得到2-羟基苯并咔唑-3-羧酸根阴离子插层水滑石的复合材料。该方法实现了2-羟基苯并咔唑-3-羧酸钠的固定化,有效地提高了该发光染料分子的热稳定性,降低了该发光染料分子因聚集而产生的荧光淬灭。
搜索关键词: 咔唑插层水 滑石 复合 发光 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1. 一种苯并咔唑插层水滑石复合发光材料,其特征在于,化学式为:[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(A-)x·mH2O,其中0.1≤x≤0.33,m=3~6为层间结晶水分子数,M2+代表二价金属阳离子,M3+代表三价金属离子,A-代表2-羟基苯并咔唑-3-羧酸根阴离子,晶体结构为类水滑石材料的晶体结构,金属阳离子和氢氧根离子以共价键构成八面体,通过共边形成片状结构,2-羟基苯并咔唑-3-羧酸根阴离子插入水滑石层间构成均匀分散的2-羟基苯并咔唑-3-羧酸根阴离子插层的阴离子型超分子层状复合发光材料。
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