[发明专利]调整间隙壁宽度的方法以及构造间隙壁的蚀刻方法有效
| 申请号： | 200810227404.9 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740376A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 杜姗姗;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种调整间隙壁宽度的方法，所述间隙壁成分为氧化硅，位于由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片上，在所述晶片表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜之后，且在对晶片进行用以构造间隙壁的定向蚀刻工艺之前，进行如下步骤：采用各向同性的蚀刻方式削减晶片表面的氧化硅薄膜厚度，使氧化硅薄膜厚度达到预定值。本发明还公开了一种构造间隙壁的蚀刻方法。本发明方案可以控制间隙壁的宽度，并且大幅减小多晶硅结构顶部的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 调整 间隙 宽度 方法 以及 构造 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种调整间隙壁宽度的方法，所述间隙壁成分为氧化硅，位于由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片上，其特征在于，在所述晶片表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜之后，且在对晶片进行用以构造间隙壁的定向蚀刻工艺之前，进行如下步骤：采用各向同性的蚀刻方式削减晶片表面的氧化硅薄膜厚度，使氧化硅薄膜厚度达到预定值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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