[发明专利]管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管，属于有机微电子学领域。该器件包括绝缘衬底上的源电极、介质层、半导体层、管状栅电极以及金属漏电极。其中器件的栅电极为管状，包裹在中心区的有机半导体层外围。栅电极和有机半导体层之间通过栅介质互相隔离开。源电极和漏电极均为平面电极，分别位于器件的底部和顶部，通过介质层和栅电极分离。本发明提供的器件结构通过把沟道方向从水平转变为垂直，只需要控制薄膜的生长厚度就能够有效控制器件的沟道长度，避免了昂贵的电子束光刻，是一种低成本的短沟道有机场效应晶体管。同时本发明还提供了这种器件的制备方法。

主权项

1、一种管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管，其特征在于，包括绝缘衬底以及在所述绝缘衬底上的栅电极、源电极、漏电极、介质层和半导体层；所述半导体层位于该器件中央，所述半导体层的上部与所述漏电极相接触，所述半导体层的下部与所述源电极相接触；在所述半导体层的外部包围有管状栅电极；在所述半导体层与所述栅电极之间填充有介质层，将所述半导体层和所述栅电极隔离开；在所述源电极与所述漏电极之间也填充有介质层，将所述源电极与所述漏电极隔离开。