[发明专利]或非门逻辑电路及其形成方法有效
| 申请号： | 200810227463.6 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101431330A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;H03K19/094;H01L27/02;H01L27/088;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及或非门逻辑电路及其形成方法。该或非门逻辑电路，包括：两个输入端，分别用于接收输入电压信号；两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极分别耦接至两个输入端，其源电极分别耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电极、其源电极、以及两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号。本发明利用氧化锌纳米线材料和氧化锌纳米线场效应晶体管制作技术以及互连技术，实现基于氧化锌纳米线场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑的或非门逻辑电路。 | ||
| 搜索关键词： | 非门 逻辑电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种或非门逻辑电路，其特征在于，包括：第一输入端，用于接收第一输入电压信号；第二输入端，用于接收第二输入电压信号；第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至第一输入端，其源电极耦接至接地点；第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至第二输入端，其源电极耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电极、其源电极、所述第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极、以及所述第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号。
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