[发明专利]二氧化碳低温气溶胶半导体清洗设备有效
| 申请号： | 200810227478.2 | 申请日： | 2008-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101740341A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 高超群;景玉鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;B08B7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化碳低温气溶胶半导体清洗设备，包括二氧化碳预处理腔、清洗腔、分离腔、二氧化碳循环控制系统和温度及压力控制系统；二氧化碳在预处理腔内进入预设的温度和压力状态后，经清洗腔内的喷嘴上的狭缝喷槽出射，伴随液体流分裂蒸发冷却，形成幕状固态气胶团簇流；幕状二氧化碳气胶流以一定角度入射到放置在可转硅片架上的硅片表面，通过动量转移，清除污染物颗粒，并由载流气体将颗粒带离清洗腔，在分离腔中回收二氧化碳并处理清洗污物。利用本发明，避免了纯水的大量消耗以及有机溶剂对环境的污染和操作人员的危害，可有效去除超临界二氧化碳无法去除的颗粒和碳化交联聚合物外壳，对小尺寸的图形和结构取得理想的清洗效果。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化碳 低温 气溶胶 半导体 清洗 设备 | ||
【主权项】：
一种二氧化碳低温气溶胶半导体清洗设备，其特征在于，该设备包括二氧化碳预处理腔(1)、清洗腔(2)、分离腔(4)、二氧化碳循环控制系统(9)和温度及压力控制系统(10)；二氧化碳在所述预处理腔(1)内进入预设的温度和压力状态后，经清洗腔(2)内的喷嘴(201)上的狭缝喷槽(205)出射，伴随液体流分裂蒸发冷却，形成幕状固态气胶团簇流；所述幕状二氧化碳气胶流以一定角度入射到放置在可转硅片架(3)上的硅片表面，通过动量转移，清除污染物颗粒，并由载流气体将颗粒带离清洗腔(2)，在分离腔(4)中回收二氧化碳并处理清洗污物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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