[发明专利]一种锗熔体浮渣清除装置及方法无效

专利信息
申请号: 200810227590.6 申请日: 2008-11-28
公开(公告)号: CN101748483A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 杨海;苏小平;冯德伸;李楠;闵振东 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司
主分类号: C30B29/08 分类号: C30B29/08;C30B15/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 童晓琳
地址: 100088*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于浮渣清除技术领域的一种锗熔体浮渣清除装置及方法。装置由高纯石墨加工而成,安装在籽晶晶锤下方,由晶锤连接杆、圆形托盘和对称的两根托盘连接杆组成。该方法步骤如下,对锗熔体浮渣清除装置先进行表面处理,在籽晶晶锤下方安装锗熔体浮渣清除装置,将圆形托盘降至熔体表面下方,浮渣流入托盘中,待全部浮渣集中后,缓慢提起装置,浮渣脱离液面高温区后迅速凝固在装置托盘中,将装置升至单晶炉副室取出。使用该发明可以将熔体表面浮渣清除得比较干净,排除了由于杂质导致单晶晶变的可能,提高了大直径锗单晶的成晶率。
搜索关键词: 一种 锗熔体 浮渣 清除 装置 方法
【主权项】:
一种锗熔体浮渣清除装置,其特征在于,装置由高纯石墨加工而成,安装在籽晶晶锤下方,由晶锤连接杆(1)、圆形托盘(3)和对称的两根托盘连接杆(2)组成。
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