[发明专利]一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810227958.9 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101409311A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张天冲;郭阳;梅增霞;顾长志;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法。该器件结构包括：p-Si衬底；MgO绝缘层；n-ZnO基薄膜层；n型欧姆接触电极；p型欧姆接触电极。该器件的制备方法包括如下步骤：在清洁的Si衬底上用外延生长设备生长MgO绝缘层，并在MgO上生长n-ZnO基薄膜层；用公知的光刻技术和公知的金属薄膜沉积方法，在n-ZnO基薄膜层上沉积n型欧姆接触电极；在Si衬底背面沉积p型欧姆接触电极。利用这种方法，能够在廉价并且具有成熟集成工艺的半导体硅衬底上制备出高性能可见盲紫外光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基双异质结 可见 紫外 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅基双异质结可见盲紫外探测器，其特征在于，包括：p型Si(111)衬底，MgO绝缘层，n-ZnO基薄膜层，n型欧姆接触电极，p型欧姆接触电极；其中，MgO绝缘层、n-ZnO基薄膜层、n型欧姆接触电极依次设置在p型Si(111)衬底的正面，p型欧姆接触电极设置在p型Si(111)衬底的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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