[发明专利]硅电容智能压力/差压变送器及其测量方法无效

专利信息
申请号: 200810228477.X 申请日: 2008-10-31
公开(公告)号: CN101726389A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 袁峰;何方;王松亭;呼浩;马超 申请(专利权)人: 沈阳仪表科学研究院
主分类号: G01L9/12 分类号: G01L9/12;G01L13/06
代理公司: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 代理人: 郭元艺
地址: 110043 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属压力/差压变送器领域,尤其涉及一种硅电容智能压力/差压变送器及其测量方法,包括硅电容压力传感器、时间数字转换电路、单片机、存储器、智能显示单元、D/A转换部分及Hart协议处理电路;所述时间数字转换电路的输入端与所述硅电容压力传感器的输出端相接;所述单片机的信号输入端接时间数字转换电路的信号输出端;所述单片机的信号输出端分别接存储器、智能显示单元、D/A转换部分及Hart协议处理电路的输入端;所述单片机内配有温度传感器,以实时测量硅电容压力传感器的温度;所述单片机与存储器、智能显示单元及时间数字转换电路通过SPI总线进行数据交换。本发明结构简单,成本低廉,测量信号精确,稳定性高。
搜索关键词: 电容 智能 压力 变送器 及其 测量方法
【主权项】:
一种硅电容智能压力/差压变送器,其特征在于,包括:硅电容压力传感器、时间数字转换电路、单片机、存储器、智能显示单元、D/A转换部分及Hart协议处理电路;所述硅电容压力传感器用于将外界压力变化信号转换为电容变化值;所述时间数字转换电路的输入端与所述硅电容压力传感器的输出端相接,其对硅电容压力传感器进行周期性的充放电并记录充放电时间,然后将所述充放电时间转化为数字信号;所述单片机的信号输入端接时间数字转换电路的信号输出端;所述单片机的信号输出端分别接存储器、智能显示单元、D/A转换部分及Hart协议处理电路的输入端;所述单片机接收时间数字转换电路采集的压力信号,并对其进行运算处理;所述存储器用于存储预设参数;所述智能显示单元用于显示工作信息;所述D/A转换部分将测量结果转化为模拟量后控制整个电路部分的电流分配;所述Hart协议处理电路将输入的Hart协议通信信号进行解调并转换为单片机串口通信信号,再将单片机的串口输出信号进行相应的调制。
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