[发明专利]一种磁控与离子束复合溅射沉积系统有效
申请号: | 200810228886.X | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN101736292A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 郭东民;佟辉;冯彬;刘大为;鲁向群;金振奎;刘丽华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C14/35;C23C14/48;C23C14/54 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 许宗富 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种磁控与离子束复合溅射沉积系统,由磁控室、离子束室、磁控溅射靶、基片水冷加热公转台、Kaufman离子枪、四工位转靶、磁力送样机构、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。磁控室和离子束室均为立式圆筒型,电动上掀盖结构,两个真空室下面各安装一套抽气系统,通过磁力送样机构实现两个真空室基片的交接。该系统磁控溅射和离子束溅射可以在两个独立的真空室同时进行,并且可以互作基片预处理室,而且取放基片和更换磁控靶靶材的工作都可以在磁控室进行,这样离子束室可以长时间保持超高真空。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子束 复合 溅射 沉积 系统 | ||
【主权项】:
一种双室磁控与离子束复合溅射沉积系统,包括磁控室(1)、离子束室(2)、磁控溅射靶(3)、基片水冷加热公转台(4、4′)、Kaufman离子枪(5、5′)、四工位转靶(6)、磁力送样机构(7)、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统;其特征在于:所述磁控室(1)和离子束室(2)通过闸板阀(13)互锁,通过磁力送样机构(7)实现两个真空室间的基片交接;两个真空室均为圆筒型立式结构,安装在机台架组件(9)上,共用一个电动提升机构(14)实现上掀盖;磁控室(1)通过闸板阀(13)和涡轮分子泵(8)联接并与下面的机械泵(16)组成一套真空抽气装置;离子束室(2)通过闸板阀(13″)和抽速涡轮分子泵(8′)联接并与机械泵(16′)组成另一套真空抽气装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司,未经中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810228886.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:等离子表面冶金金属线材的生产方法及装置
- 下一篇:一种注入代码提取方法及装置
- 同类专利
- 专利分类