[发明专利]一种纳米均相ITO粉制备ITO靶材的方法无效
| 申请号： | 200810230779.0 | 申请日： | 2008-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101392362A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王政红;张秀勤;薛建强;邢朋飞 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 洛阳市凯旋专利事务所 | 代理人： | 符继超 |
| 地址： | 471039河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种纳米均相ITO粉制备ITO靶材的方法，取纯度4～5N的金属铟或锡，按In2O3∶SnO2＝9∶1的配料比重进行配料加入熔化器中，通电加热250～500℃进行熔化。再压入反应器中并加50～1000V电压、50-1000A电流，通入氮氧混合气或纯氧，经冷风或液氮快速冷却形成具有氧化锡完全固溶到氧化铟晶格的单相纳米ITO粉。在20MPa压力下干压制坯并在200～300MPa压力下进行冷等静压成型制成ITO坯体，再将ITO坯体装入高温氧气氛烧结炉并通入纯氧，在压力0.1～1.0MPa的气压下和1450～1650℃高温下烧结6～40h得到烧制成的ITO靶材。具有高纯度，高结晶性、分散性好、流动性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 均相 ito 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米均相ITO粉制备ITO靶材的方法，其特征在于：该方法包含配料、制备纳米均相ITO粉、制备ITO靶材三个步骤，三个步骤分述如下：I、配料取纯度4～5N(纯度为99.99～99.999％)的金属铟或金属锡，按In2O3∶SnO2＝9∶1的配料比重进行配料，将配料加入到熔化器中，通电加热到250～500℃左右进行熔化；II、制备纳米均相ITO粉将熔化的铟锡合金压入反应器，给反应器加上50～1000V电压、50-1000A电流，并在反应器中通入氮氧混合气或纯氧使其变成气态的铟、锡原子并和氧原子反应，在电阻热及强磁场作用下，熔化的铟锡合金被雾化、气化、氧化，再经过冷风或液氮快速冷却，形成具有氧化锡完全固溶到氧化铟晶格的单相纳米ITO粉，开启收粉系统，制得纳米均相ITO粉，纳米ITO粉经X射线衍射相分析具有单一的In2O3体心立方晶体结构；III、制备ITO靶材用上述纳米均相ITO粉为原料在20MPa压力下干压制坯并在200～300MPa压力下进行冷等静压成型制成ITO坯体；再将ITO坯体装入高温氧气氛烧结炉，然后通入纯氧，在压力0.1～1.0MPa的气压下和1450～1650℃高温下烧结6～40h得到烧制成的ITO靶材。
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