[发明专利]MEMS压力传感器及其制作方法无效
| 申请号： | 200810231018.7 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101738280A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 关荣锋;田大垒;赵文卿;王杏 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04;B81B7/00;B81B7/02;B81C3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人： | 张春 |
| 地址： | 454000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制作方法，MEMS压力传感器包括MEMS压力传感芯片，所述的MEMS压力传感芯片由四个多晶硅电阻设置在单晶硅薄膜的[110]晶向上构成的惠斯通电桥，单晶硅薄膜是由下硅圆片、上硅圆片和纯化层构成，下硅圆片上设置一腔体，下硅圆片和上硅圆片通过热熔硅-硅键合在一起，在上硅圆片表面设钝化层，在上硅圆片上用扩散工艺设置多晶硅电阻，在上硅圆片上刻蚀出金属薄膜导线和压焊块。本发明采用了硅-硅键合结构的压力传感器尺寸可以做的很小，每个硅圆片上的芯片数目可以提高50％或者更高，硅-硅键合强度更高，气密性更好。传感器成本大幅度下降，性能更加稳定可靠。这种传感器属低成本高性能压力传感器，应用非常广泛。 | ||
| 搜索关键词： | mems 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS压力传感器，包括MEMS压力传感芯片，其特征在于：所述的MEMS压力传感芯片由四个多晶硅电阻(18)设置在单晶硅薄膜(19)的[110]晶向上构成的惠斯通电桥，单晶硅薄膜(19)是由下硅圆片(20)、上硅圆片(21)和纯化层(22)构成，下硅圆片(20)上设置一腔体(23)，下硅圆片(20)和上硅圆片(21)通过热熔硅-硅键合在一起，在上硅圆片(21)表面设钝化层(22)，在上硅圆片(21)上用扩散工艺设置多晶硅电阻(18)，在上硅圆片(21)上刻蚀出金属薄膜导线(24)和压焊块(25)。
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