[发明专利]低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法有效

专利信息
申请号: 200810231091.4 申请日: 2008-11-27
公开(公告)号: CN101423412A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 吴吉光;程竹;张新华;李延军;吕祥青;王建波;李杰;黄志明 申请(专利权)人: 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66
代理公司: 洛阳明律专利代理事务所 代理人: 卢洪方
地址: 471039河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明属于耐火材料技术,提出一种低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法。该方法以SiC颗粒和细粉、SiO2细粉、Si粉为原料,将各种原料和结合剂混练后、成型、干燥后,采用硅溶胶溶液对坯体进行至少1次的真空浸渗处理;坯体最终烧成温度范围为1100℃~1250℃,可制得高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料。本发明最高烧成温度比当前SiO2结合碳化硅材料烧成温度低100~500℃,可明显降低材料的烧成能耗。本发明制备的材料具有优良的理化性能:SiC含量85~95%、体积密度2.65~2.82g/cm3、1400℃的高温抗折强度达40~52MPa,材料最高使用温度可达1550℃,可用作陶瓷窑具以及锌熔练炉、垃圾焚烧炉等各种工业窑炉炉衬,具有良好的应用效果。
搜索关键词: 低温 烧成 制备 性能 氧化 结合 碳化硅 耐火材料 方法
【主权项】:
1、一种低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法,所采用的原料为SiC颗粒、SiC细粉和SiO2细粉,生产工艺过程包括:配料、混练、成型、干燥、烧成工序,其特征在于:采用硅溶胶溶液对烧成前的坯体进行至少1次真空浸渗处理;坯体的烧成温度范围为1100℃~1250℃。
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