[发明专利]宽输入CMOS带隙基准电路结构无效
| 申请号： | 200810231711.4 | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101414197A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 杨媛;高勇;宋征华 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 罗 笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽输入CMOS带隙基准电路结构。第一级带隙基准电路的输入端连接输入电压Vdd，第一级带隙基准电路的输出端电压Vout1连接第二级带隙基准电路的输入端输入电压Vdd1，第二级带隙基准电路的输出端输出电压Vout，第一级带隙基准电路和第二级带隙基准电路之间采用电压互连的方式连接。在提供电压宽输入范围的同时，不损失电路的电源抑制比、温度系数其它性能指标，同时与CMOS工艺兼容，可应用于主流CMOS电路系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 输入 cmos 基准 电路 结构 | ||
【主权项】：
1、一种宽输入CMOS带隙基准电路结构，其特征在于，包括第一级带隙基准电路(1)和第二级带隙基准电路(2)，第一级带隙基准电路(1)的输入端连接输入电压Vdd，第一级带隙基准电路(1)的输出端电压Vout1连接第二级带隙基准电路(2)的输入端输入电压Vdd1，第二级带隙基准电路(2)的输出端输出电压Vout，第一级带隙基准电路(1)和第二级带隙基准电路(2)之间采用电压互连的方式连接。
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