[发明专利]光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件及制备方法

摘要

本发明公开的光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件及制备方法，电荷耦合器件包括从上往下依次设置的二向色滤光片、红外吸收滤镜、控制线和微型信号线及通过隔膜隔断的多个液晶单元构成的液晶层、相位板及其两侧的低通滤镜、硅衬底层和下面设置的SiO₂氧化层与多个金属铝栅电极，微型信号线与对应的液晶单元单向连接，液晶单元、P型硅单元和金属铝栅电极一一对应，液晶单元的上下表面分别近贴一片偏振方向相互垂直的线偏振薄膜。在硅衬底下表面生长SiO₂氧化层并形成金属铝栅电极，硅衬底的上表面依次近贴各功能层，制得高宽容度液晶选通电荷耦合器件，本发明用于民用成像系统，大幅度提高该成像系统的宽容度，实现高质量成像。

主权项

1. 一种光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件，包括由上而下依次固接的表层、中间层和底层，表层包括从上往下依次设置的二向色滤光片(1)和红外吸收滤镜(2)，中间层包括相互垂直设置的多根控制线(14)和多根集成微型信号线(15)构成的网状结构、低通滤镜A(4)、相位板(5)和低通滤镜B(6)，底层包括并排设置的多个P型硅单元(7)与绝缘沟道(11)构成的衬底层以及该衬底层下面依次设置的SiO2氧化层(9)和多个金属铝栅电极(10)，其特征在于，所述的红外吸收滤镜(2)与低通滤镜A(4)之间耦合有多个HTPS液晶单元(3)构成的液晶层，相邻的HTPS液晶单元(3)通过隔膜(8)隔断，每个HTPS液晶单元(3)分别位于所述网状结构的相应网格内，所述的多根集成微型信号线(15)与对应HTPS液晶单元(3)单向连接，所述的HTPS液晶单元(3)、P型硅单元(7)和金属铝栅电极(10)形成一一对应，HTPS液晶单元(3)的上下表面分别近贴有线偏振薄膜，该两线偏振薄膜的偏振方向相互垂直。