[发明专利]兼容多层单元与单层单元闪存的装置与方法无效

专利信息
申请号: 200810232172.6 申请日: 2008-11-07
公开(公告)号: CN101404181A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 陈淮琰;李鋆 申请(专利权)人: 无敌科技(西安)有限公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/08;G11C16/06;G11C29/00
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 代理人: 商宇科
地址: 710075陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种兼容多层单元与单层单元闪存的装置与方法,具有多层单元状态与单层单元状态,该装置包含:单层单元闪存,包含多个数据扇区(sector);多层单元闪存,包含多个数据分页(page);转换缓冲层,连接单层单元闪存与多层单元闪存,在多层单元状态,转换数据扇区符合数据分页的格式,在单层单元状态,转换数据分页符合数据扇区的格式;连接接口,提供从转换缓冲层读取与写入数据。
搜索关键词: 兼容 多层 单元 单层 闪存 装置 方法
【主权项】:
1、一种兼容多层单元与单层单元闪存的装置,具有多层单元状态与单层单元状态,其特征在于:该装置包含单层单元闪存,包含多个数据扇区;多层单元闪存,包含多个数据分页;转换缓冲层,连接单层单元闪存与多层单元闪存,在多层单元状态,转换数据扇区以符合数据分页的格式,在单层单元状态,转换数据分页以符合数据扇区的格式;连接接口,提供从转换缓冲层读取与写入数据,所述单层单元闪存、多层单元闪存、连接接口分别和转换缓冲层相接。
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