[发明专利]凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、源场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，源场板位于钝化层的上面，源极与源场板电气连接，其中，源场板与漏极之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。这些浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与源场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好、稳定性强、频率特性好和输出功率高的优点，可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的微波功率器件。

主权项

1. 一种凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、源场板(10)和保护层(12)，势垒层(3)上开有凹槽(6)，绝缘槽栅(8)位于凹槽(6)上部的绝缘介质层(7)上，源场板(10)位于钝化层(9)的上面，源极(4)与源场板(10)电气连接，其特征在于，源场板(10)与漏极之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)，n≥1，这些浮空场板与源场板构成复合源场板结构，提高击穿电压。