[发明专利]槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 200810232525.2 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101414625A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 毛维;郝跃;杨翠;过润秋;马晓华;张进成;张金风 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、栅场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该漏场板(11)与漏极(5)电气连接，该槽栅(7)与栅场板(9)电气连接，其中，势垒层(3)上开有凹槽(6)；栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好和击穿电压高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 槽栅型栅 复合 场板高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、栅场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该漏场板(11)与漏极(5)电气连接，该槽栅(7)与栅场板(9)电气连接，其特征在于，势垒层(3)上开有凹槽(6)；栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1。
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