[发明专利]绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件无效

专利信息
申请号: 200810232527.1 申请日: 2008-12-01
公开(公告)号: CN101414626A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 郝跃;毛维;过润秋;杨翠 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 陕西电子工业专利中心 代理人: 王品华;朱红星
地址: 71007*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件,该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、栅场板(9)、漏场板(11)和保护层(12),该栅场板与绝缘栅极电气连接,该漏场板与漏极电气连接,其中:源极(4)上部和漏极(5)上部,以及势垒层(3)上的其它区域淀积有绝缘介质层(6);栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同且相互独立,且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和输出功率高的优点,可制作大功率器件。
搜索关键词: 绝缘 栅型栅 复合 功率 器件
【主权项】:
1. 一种绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件,包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、栅场板(9)、漏场板(11)和保护层(12),该栅场板与绝缘栅极电气连接,该漏场板与漏极电气连接,其特征在于:源极(4)上部和漏极(5)上部,以及势垒层(3)上的其它区域淀积有绝缘介质层(6);栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10),n≥1,构成栅-漏复合场板结构。
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