[发明专利]凹槽绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件及其制作方法有效
申请号: | 200810232529.0 | 申请日: | 2008-12-01 |
公开(公告)号: | CN101414635A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 毛维;杨翠;郝跃;过润秋 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 71007*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件及其制作方法,该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、栅场板(10)、漏场板(12)和保护层(13),该漏场板(12)与漏极(5)电气连接,该栅场板(10)与绝缘槽栅(8)电气连接,其中,势垒层上开有凹槽(6);栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同且相互独立,且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和输出功率高的优点,可制作大功率器件。 | ||
搜索关键词: | 凹槽 绝缘 栅型栅 复合 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1. 一种凹槽绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件,包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、栅场板(10)、漏场板(12)和保护层(13),该漏场板(12)与漏极(5)电气连接,该栅场板(10)与绝缘槽栅(8)电气连接,其特征在于,势垒层(3)上开有凹槽(6);栅场板与漏场板之间的钝化层(9)上淀积有n个浮空场板(11),n≥1。
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