[发明专利]凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 200810232530.3 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101414636A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 毛维;杨翠;郝跃;过润秋 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、源场板(10)、漏场板(12)和保护层(13)，该源场板与源极电气连接，该漏场板与漏极电气连接，其中，势垒层上开有凹槽(6)；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同且相互独立，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和输出功率高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 凹槽 绝缘 栅型源 复合 场板高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、源场板(10)、漏场板(12)和保护层(13)，该源场板(10)与源极(4)电气连接，该漏场板(12)与漏极(5)电气连接，其特征在于，势垒层(3)上开有凹槽(6)；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)，n≥1，构成源-漏复合场板结构。
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