[发明专利]凹槽Г栅高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200810232534.1 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101414628A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 郝跃;毛维;过润秋;杨翠 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种凹槽Γ栅高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(7)、Γ栅(9)和保护层(11)，该势垒层(3)上开有第一凹槽(6)，该钝化层(7)上开有第二凹槽(8)，其中，钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1，与Γ栅构成复合的栅场板结构。每个浮空场板大小相同，相互独立，且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自Γ栅到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与Γ栅通过一次工艺完成。本发明具有成品率高、频率特性好和输出功率高的优点，可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的高频大功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 凹槽 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种凹槽Γ栅高电子迁移率晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(7)、Γ栅(9)和保护层(11)，该势垒层(3)上开有第一凹槽(6)，该钝化层(7)上开有第二凹槽(8)，其特征在于，钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1，与Γ栅构成复合的栅场板结构。
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