[发明专利]凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、钝化层(8)、交叠栅(10)和保护层(12)，该势垒层上开有第一凹槽(6)，该钝化层上开有第二凹槽(9)，其中，钝化层上交叠栅与漏极之间淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同，相互独立，且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自交叠栅到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与交叠栅通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好、稳定性强、频率特性好和输出功率高的优点，可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的微波功率器件。

主权项

1. 一种凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、钝化层(8)、交叠栅(10)和保护层(12)，该势垒层(3)上开有第一凹槽(6)，该钝化层(8)上开有第二凹槽(9)，其特征在于，钝化层(8)上交叠栅(10)与漏极(5)之间淀积有n个浮空场板(11)，n≥1，构成复合的栅场板结构。