[发明专利]源场板高电子迁移率晶体管有效
申请号: | 200810232547.9 | 申请日: | 2008-12-03 |
公开(公告)号: | CN101414629A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 郝跃;过润秋;毛维;张进成;马晓华;杨翠;王冲 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 71007*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种源场板高电子迁移率晶体管,该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、保护层(10)和源场板(8),该源场板(8)与源极(4)电气连接,其中,钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9),n≥1,以增大势垒层耗尽区的面积。这些浮空场板与源场板位于同一层钝化层上,每个浮空场板大小相同,相互独立,相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态,并与源场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好和击穿电压高的优点,可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的高频大功率器件。 | ||
搜索关键词: | 源场板高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】:
1. 一种源场板高电子迁移率晶体管,包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、保护层(10)和源场板(8),该源场板(8)与源极(4)电气连接,其特征在于,钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9),n≥1,以增大势垒层耗尽区的面积。
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