[发明专利]一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法

摘要

本发明公开了一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法，制备过程为：以相应的氧化物为原料，按La₂CuMnO₆、Ca₂NiWO₆或Ca₂CoWO₆中阳离子的摩尔比称量、混合、研磨、烧结；再次研磨、压片后重复烧结，并将烧结样品打磨后得到靶材，在一定的衬底温度、氧分压、靶-衬距离下，入射到靶材表面的脉冲激光剥蚀靶体，形成余辉后将双钙钛矿沉积到衬底上，制得双钙钛矿型缓冲层。本发明方法工艺简单、成本低，所制备的双钙钛矿型缓冲层具有很好的c轴织构、表面粗糙度小且无微裂纹和孔洞，双钙钛矿型缓冲层与涂层导体的超导层之间晶格匹配良好。

主权项

1. 一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法，其特征在于制备过程为：(1)将金属氧化物按照La2CuMnO6、Ca2NiWO6或Ca2CoWO6中阳离子的摩尔比为2∶1∶1称量，混合研磨后在1100℃温度下恒温处理24-72小时后取出；(2)再仔细研磨，混合充分，在压片机上用硬质钢模具，采用10MPa的压力压制成圆片状样品；(3)将步骤(2)中的圆片状样品放在刚玉坩埚里，在硅碳管发热体管式高温炉内烧结，在空气气氛中于1000-1100℃温度下烧结24-72小时，然后随炉冷却至室温，得到相应的双钙钛矿样品；(4)对步骤(3)中的双钙钛矿样品表面进行打磨制备成靶材；(5)将沉积室预抽真空，以清洗后的钇稳定的氧化锆YSZ、LaAlO3和SrTiO3单晶基片作为衬底，在氧气压力为5-10Pa的沉积气压和780-800℃衬底温度下，用能量为550mJ、频率为5-10Hz的脉冲激光剥蚀步骤(4)中所述靶材15-30分钟以获得薄膜，并在一个大气压氧气中将所述薄膜冷却至室温，即制得双钙钛矿型缓冲层。