[发明专利]一种含硅石墨层间化合物的制造方法无效
| 申请号： | 200810232695.0 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101759180A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 汪玉明;马和平;王书涛;李竹岩;刘秋红;金燕子;张晓娜;赵华;刘成力 | 申请（专利权）人： | 兰州工业研究院 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 730050 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种为了改善石墨材料的抗氧化性而在石墨层间插入硅元素，以合成一种含硅石墨层间化合物的制造方法。该方法包括以下步骤：将石墨粒子分散在浓硫酸中，混合均匀，加入10％～30％(重量比)氧化剂和5％～30％(重量比)硅酸盐插层剂水溶液(或与其它插层剂协同)，在40℃的温度下发生反应，熟化后，反应生成的固形物经水洗，烘干，得到含硅石墨层间化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅石 墨层间 化合物 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种含硅石墨层间化合物的制造方法，其特征在于将石墨粒子分散在浓硫酸中，混合均匀，加入10％～30％(重量比)氧化剂和5％～30％(重量比)硅酸盐插层剂水溶液(或与其它插层剂协同)，在40℃的温度下发生反应，熟化后，反应生成的固形物经水洗，烘干，得到含硅石墨层间化合物。
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