[发明专利]一种制备碳化硅纳米线的方法无效
| 申请号： | 200810233449.7 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101386409A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 马文会;杨斌;王华;刘大春;戴永年;朱文杰;伍继君;罗晓刚;汪镜福;魏奎先;徐宝强;秦博 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 昆明慧翔专利事务所 | 代理人： | 周一康 |
| 地址： | 650031*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备碳化硅纳米线的方法，以硅矿、石英、废光纤、废石英和生物质灰废料等含SiO2的废料为原料，以碳、竹炭、煤、废活性炭、焦煤和褐煤等为还原剂，两者按摩尔比1∶0.5～6进行配比混合，经真空碳热还原，控制真空度10-2～10-4Pa，温度700℃～2000℃，还原反应时间10min～2h，反应后自然冷却至室温，再经700～900℃下灼烧及洗涤、过滤、干燥，制备得直径为30-120nm，长度在微米级SiC纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备碳化硅纳米线的方法，其特征在于：其按以下步骤完成，1)、预处理：把碳质还原剂和硅质原料破碎，球磨成20目以下的粉末，再将硅质原料和碳质还原剂按摩尔比1:0.5～6进行配比混合；2)、真空碳热还原：先抽真空至10-2～10-4Pa再以100℃/min的速率将温度升到700℃～2000℃进行碳热还原反应10min～2h，反应后自然冷却至室温，获得初级反应产物；3)、热处理：将初级反应产物在700～900℃下灼烧1～3h，除去未反应的碳；4)、酸洗：用氢氟酸或硝酸去除产物中的多余二氧化硅，再经洗涤、过滤、干燥，最终得到碳化硅产品。
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