[发明专利]一种ZnSe荧光量子点的合成方法

摘要

本发明属于一种半导体纳米材料的合成方法，具体为一种ZnSe荧光量子点的合成方法。在惰性气体的保护下，将Se，配位溶剂，加热并搅拌得到Se前体；将十八烯，锌源体，长链烷基胺搅拌混合得到Zn前体；将Zn前体升温至300-350℃后，搅拌的同时将Se前体迅速注射到Zn前体中，反应体系温度迅速下降，纳米晶开始生长，立即开始取样得到ZnSe量子点的原溶液粗产物。分离纯化后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。该方法具有反应体系简单，原料易得，操作简单，环境污染小，量子点荧光量子产率高，结晶度好的优点。

主权项

1. 一种ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于包括如下步骤：(1)首先将Se，配位溶剂，在惰性气体(氮气或氩气)保护下加热并搅拌1-10个小时，得到Se前体。(2)将十八烯，锌源体，长链烷基胺在惰性气体保护下搅拌混合得到Zn前体。(3)继续在惰性气体保护下，将Zn前体升温至300-350℃以上后，搅拌的同时将Se前体迅速注射到Zn前体中，此时由于反应吸热和温差将会使整个反应体系温度迅速下降，一般降幅在20-50℃之间，此时纳米晶开始生长，反应开始计时。(4)纳米晶开始生长后，立即开始取样。第一次取样控制在反应10S以内，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样<1ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。(5)取5-6次样后，此时反应时间达到1-3小时后，停止加热，结束反应。(6)分离纯化，即通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。