[发明专利]一种石斛育苗方法无效
申请号: | 200810233728.3 | 申请日: | 2008-12-19 |
公开(公告)号: | CN101444186A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 查应洪 | 申请(专利权)人: | 查应洪 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00;C12N5/04 |
代理公司: | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人: | 徐玲菊 |
地址: | 661200云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明提供一种石斛育苗方法,包括种子离体接种,培养形成圆球茎,培养圆球茎形成分化苗,其特征在于:将分化苗接种在育苗瓶中的1/2MS培养基上,盖上瓶盖,用保鲜膜封住瓶盖与瓶体接合部位,之后置于遮光率为60~80%的普通大棚内,在温度为5~34℃,光照强度为3500~9000Lx的自然光照条件下培养2个月后,出瓶直接定植于大田即可。既能节约商品苗培养阶段所耗费的电能,省掉所需消毒、杀菌药剂及人工费,且操作方便,省时省力,尤其是在自然光照、环境中培养,使商品苗具有较高的抗菌、抗病能力,大幅度提高了石斛苗的种植成活率,使之达90%以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 石斛 育苗 方法 | ||
【主权项】:
1、一种石斛育苗方法,包括种子离体接种,培养形成圆球茎,培养圆球茎形成分化苗,其特征在于:将分化苗接种在育苗瓶中的1/2MS培养基上,盖上瓶盖,用保鲜膜封住瓶盖与瓶体接合部位,之后置于遮光率为60~80%的普通大棚内,在温度为5~34℃,光照强度为3500~9000Lx的自然光照条件下培养2个月后,出瓶直接定植于大田即可。
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