[发明专利]顶部发光有机显示器的阳极结构及其制造工艺有效
申请号: | 200810233758.4 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101459226A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 邓荣斌;季华夏 | 申请(专利权)人: | 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人: | 和 琳 |
地址: | 650000云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种顶部发光有机显示器的阳极结构及其制造工艺,涉及一种顶部发光的有机电发光器件,尤其是一种应用于顶部发光有机显示器中的低电阻率阳极结构及其制造工艺。本发明的顶部发光有机显示器的阳极结构,是在硅衬底层上镀膜形成电极,其特征在于硅衬底层上镀的膜为四层膜,所述的四层膜从硅衬底层向上分别是高纯铬膜层、高纯铝膜层、高纯铬膜层和高纯钼膜层。采用除射频溅镀法外的PVD法,包括对硅衬底层进行预热处理、金属镀膜过程。新型的阳极结构具有高导电率、易镀、经济以及较低的光吸收系数和较高的反光系数使得这种新颖的阳极结构的OLED发光效率增加了30%,其性能比现有的阳极结构更优越。 | ||
搜索关键词: | 顶部 发光 有机 显示器 阳极 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种顶部发光有机显示器的阳极结构,是在硅衬底层(1)上镀膜形成电极,其特征在于硅衬底层(1)上镀的膜为四层膜,所述的四层膜从硅衬底层(1)向上分别是高纯铬膜层(2)、高纯铝膜层(3)、高纯铬膜层(4)和高纯钼膜层(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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