[发明专利]丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法无效
| 申请号： | 200810233812.5 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101475380A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张秀霞 | 申请（专利权）人： | 北方民族大学 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64;C04B35/565;H01J9/02;G01L1/00 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 | 代理人： | 赵明辉 |
| 地址： | 750021宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明涉及丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法，其特点是，包括下列步骤，升温至350-380K后保持20-25分钟，然后再升温至423-453K后保持60-75分钟，然后再升温至633-653K后保持70-80分钟，自然冷却至室温待用。本发明中丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法，一方面可以使薄膜干燥并牢固地粘结在或其它导电板上衬底上，另一方面可以使薄膜中所含制浆材料分解蒸发掉。使纳米SiC微尖露出薄膜表面，才有利于电子场发射，从而制得纳米SiC场发射阴极薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 丝网 印刷 制备 纳米 sic 薄膜 中的 烧结 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法，其特征在于，包括下列步骤：升温至350-380K后保持20-25分钟，然后再升温至423-453K后保持60-75分钟，然后再升温至633-653K后保持70-80分钟，自然冷却至室温待用。
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