[发明专利]纳米硅薄膜晶体管液晶显示器的制备方法有效
| 申请号： | 200810234284.5 | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101592834A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;袁宁一;郭立强;程广贵 | 申请（专利权）人： | 江苏工业学院;江苏大学 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 213164*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米硅薄膜晶体管液晶显示器的制备方法，包括在玻璃或单晶硅基板上通过金属溅射成膜、光刻、湿刻制作扫描线极源漏极电极；利用等离子体化学汽相沉积技术制备纳米硅薄膜；通过连续成膜、小岛光刻、小岛干刻制作晶体管的有源层，在该有源层的基础上加入了一层非晶硅，厚度约为150nm；制备栅极绝缘层和钝化保护层，该栅极绝缘层和钝化保护层共用氮化硅薄膜；经过孔干刻S/D金属Al层溅射成膜、S/D光刻、S/D湿刻形成TFT的源、漏电极、栅极及数据线；最终在玻璃基板上形成晶体管阵列。本发明制备的纳米硅薄膜晶体管液晶显示器件响应时间短、容量大、清晰度高和品质高全真彩色视频显示设备。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜晶体管 液晶显示器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米硅薄膜晶体管液晶显示器的制备方法，其特征是包括如下步骤：(1)在玻璃或单晶硅基板上通过金属溅射成膜、光刻、湿刻制作扫描线极源漏极电极；(2)利用等离子体化学汽相沉积技术制备纳米硅薄膜；通过连续成膜、小岛光刻、小岛干刻制作晶体管的有源层，在该有源层的基础上加入了一层非晶硅，厚度约为150nm；(3)制备栅极绝缘层和钝化保护层，该栅极绝缘层和钝化保护层共用氮化硅薄膜；(4)经过孔干刻S/D金属Al层溅射成膜、S/D光刻、S/D湿刻形成TFT的源、漏电极、栅极及数据线；最终在玻璃基板上形成晶体管阵列。
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