[发明专利]提高硅光电池光电转换效率的方法及装置无效
申请号: | 200810235198.6 | 申请日: | 2008-11-17 |
公开(公告)号: | CN101404302A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 李庆明;赵石林 | 申请(专利权)人: | 李庆明 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H02N6/00 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 沈 戟 |
地址: | 224000江苏省盐城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 提高硅光电池光电转换效率的方法及装置,含有硅光电池、太阳光反射体、支架,硅光电池的工作面与太阳光反射体相向固定在支架上,在硅光电池的工作面与太阳光反射体之间安放有滤光板,太阳光反射体及硅光电池的非工作面朝向太阳,仅使太阳光的可见光和紫外光能穿过滤光板进入太阳光反射体并反射到硅光电池的工作面上,发生光电反应,而不能在硅光电池的工作面上发生光电反应的红外光,大部分被滤光板阻挡不能进入太阳光反射体,直接被反射到大气环境中,降低了硅光电池工作面的工作温度,有效改变了硅光电池的工作面的太阳光的分布,可使现有硅光电池光电转换效率、输出功率成倍提高,大大降低了一次性投资成本。 | ||
搜索关键词: | 提高 光电池 光电 转换 效率 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、提高硅光电池光电转换效率的方法,其特征在于将硅光电池的工作面与太阳光反射体相向固定在一个支架上,太阳光反射体及硅光电池的非工作面朝向太阳,在硅光电池的工作面与太阳光反射体之间安放有滤光板,仅使太阳光的可见光和紫外光能穿过滤光板进入太阳光反射体并反射到硅光电池的工作面上,发生光电反应,而红外光大部分被滤光板阻挡不能进入太阳光反射体,直接被反射到大气环境中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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