[发明专利]一种原位制备自支撑氮化镓衬底的方法

摘要

原位制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用HVPE生长方式在蓝宝石上生长GaN缓冲层薄膜，反应源材料为金属镓，高纯HCl或三甲基镓或其它有机镓源，载气N₂及NH₃；生长温度为550-750℃，缓冲层厚度在50nm-1μm；缓冲层生长完成后，关闭HCl气体或三甲基镓气体，在氨气保护下开始升温，升温时间15±4分钟至1000-1100℃生长温度，开始GaN生长直到所需要的厚度；关闭HCl气体，停止生长，在氨气保护下开始降温。降温速率维持在5-20℃/分钟；降温方式温度降至在650-750℃之间时，在该温度区间维持10-30分钟；然后自然降温至室温，即可得到自剥离的自支撑GaN衬底。

主权项

1、原位制备自支撑氮化镓衬底的方法，其特征是采用HVPE生长方式在蓝宝石上生长GaN缓冲层薄膜，反应源材料为金属镓，高纯HCl或三甲基镓或其它有机镓源，载气N2及NH3；生长温度为550-750℃，缓冲层厚度在50nm-1μm；缓冲层生长完成后，关闭HCl气体或三甲基镓气体，在氨气保护下开始升温，升温时间15±4分钟至1000-1100℃生长温度，开始GaN生长直到所需要的厚度；关闭HCl气体，停止生长，在氨气保护下开始降温。降温速率维持在5-20℃/分钟；降温方式温度降至在650-750℃之间时，在该温度区间维持10-30分钟；然后自然降温至室温，即可得到自剥离的自支撑GaN衬底。